Роберт Арнольдович Сурис

Роберт Арнольдович Сурис

Дата рождения

31 декабря 1936 года

Место рождения

Москва, СССР

Дата смерти

14 мая 2024 года

Место смерти

Санкт-Петербург, РФ

Научная сфера

физика твёрдого тела, микроэлектроника, теория твёрдого тела и полупроводников, теория твердотельных приборов и микроэлектронная технология, статистическая механика и фазовые переходы.

Известен как

физик

Награды и премии

Роберт Арнольдович Сурис — научный деятель.

Карьера

В 1960 гододу окончил физико-химический факультет МИСиС.

Затем трудился в НИИ электронной промышленности в Москве и Зеленограде.

В 1964 году — к.ф.-м.н.

С 1970 года осуществлял преподавательскую деятельность в МФТИ.

В 1974 году — д.ф.-м.н.

В 1982 году — профессор.

С 1988 года — завлабораторией в ЛФТИ, директор отела твердотельной электроники и завсектором теоретических основ микроэлектроники, параллельно — завкафедрой ЛПИ.

В 1997 году — ч.-к., а в 2006 году — академик РАН.

В 2005 году — лауреат премии им. Иоффе.

Написал примерно 200 или более трудов.

РЕЭ следующим образом описывает его научные достижения:

Основные труды по физике полупроводников и полупроводниковым гетероструктурам, теории твердотельных микроэлектронных и оптоэлектронных приборов, теории фазовых переходов. Теоретические работы Суриса привели к созданию новых типов полупроводниковых лазеров. Автор первых работ по теории резонансного взаимодействия электронов примесных центров с оптическими колебаниями кристаллической решетки, теории кристаллизации в эпитаксии и теории диффузноконтролируемых реакций.

Был женат на дочери физика Б. Н. Финкельштейна (1902—1962).

Специалист по физике твердотельных наноструктур, физике полупроводников и физическим основам твердотельной электроники. Совместно с Р. Ф. Казариновым разработал теорию электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешёток, выдвинул идеи и разработал теории каскадных лазеров на основе полупроводниковых сверхрешёток, гетеролазеров с распределённой обратной связью. Развил теорию лазеров на квантовых точках.

Создал теорию пограничных состояний в полупроводниковых гетероструктурах и в структуре металл — оксид — полупроводник. Предсказал существование в плазме полупроводников волн перезарядки ловушек, определяющих свойства ИК-фотоприёмников и фоторефрактивных сред, и создал их теорию. Развил теорию фликкер-шумов в эпитаксиальных плёнках высокотемпературных сверхпроводников, теорию коллективных эффектов и многочастичных электронно-дырочных комплексов в наноструктурах и процессов эпитаксиального роста таких структур.

Труды

• Оптические основы контактной фотолитографии. М., 1982 (соавт.).